CMC0808


SiCパワーデバイスの開発、実装技術と車載展望

 

 開催日時:2018年8月8日(水)10:30~16:30 

会  場ちよだプラットフォームスクウェア(東京都千代田区神田錦町3‐21)
                    【地下鉄】
                       東西線『竹橋駅』徒歩2分
                       三田線・新宿線・半蔵門線『神保町駅』徒歩7分
                       三田線・千代田線・半蔵門線・丸の内線『大手町駅』徒歩8分
                       新宿線・千代田線『小川町駅』徒歩8分
                    【JR】
                       中央線・山手線・京浜東北線『神田駅』徒歩12分
                       中央線・総武線『御茶ノ水駅』徒歩12分

受 講 料:1名につき49,000円(税込)※ 昼食・資料代含



主    催 : 株式会社シーエムシー・リサーチ

※請求書、受講票等は、シーエムシー・リサーチ社より送付いたします。


 
     講師 : 岩室 憲幸 氏   筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授
 

                   <講師経歴>
                      1984年 早稲田大学理工学部卒
                      1998年 博士(工学)(早稲田大学)。富士電機㈱に入社。
                      1988年から現在までIGBT、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事。
                      1992年 North Carolina State Univ. Visiting Scholar.
                      1999年~2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事。
                      2009年5月~2013年3月 産業技術総合研究所に出向。SiC-MOSFET、SBDの
                                      研究ならびに量産技術開発に従事。
                      2013年4月~ 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る。


          【趣旨】
              本講座では、SiCパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かを主題に解説する。2017年は、
            電気自動車(EV)の開発に向け大きく進展する年となった。世界最大の自動車市場である中国をはじめヨーロ
            ッパはハイブリッド車を飛び越えてEVシフトへ舵を切った。日本、アメリカを巻き込んで世界全体でEV開発がいよ
            いよ本格化した年となった。EVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiCデバイスの普及
            が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応え
            られているとは言えない。SiCパワーデバイスの今後の開発の方向性は何かについて、強力なライバルであるシリ
            コンデバイスの最新動向を見据えながら、わかりやすく解説したい。


                   【セミナーで得られる知識】
                       SiCパワーデバイスの特長と課題
                       過去30年のパワーデバイス開発の流れ
                       パワーデバイス全体の最新技術動向、SiCデバイス実装技術
                       SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など



1.パワーエレクトロニクスとは?
 1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
 1-2 パワーデバイスの種類と基本構造
 1-3 パワーデバイスの適用分野
 1-4 高周波動作のメリットは
 1-5 シリコンMOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ?
 1-6 パワーデバイス開発のポイントは何か

2.最新シリコンIGBTの進展と課題
 2-1 IGBT開発のポイント
 2-2 IGBT特性向上への挑戦
 2-3 薄ウェハ フィールドストップ(FS)型IGBTの誕生
 2-4 IGBT特性改善を支える技術
 2-5 最新のIGBT技術:まだまだ特性改善が進むIGBT 
 2-6 新構造IGBT:逆導通IGBT(RC-IGBT)の開発

3.SiCパワーデバイスの現状と課題
 3-1 ワイドバンドギャップ半導体とは?
 3-2 SiCのSiに対する利点
 3-3 各社SiC-MOSFETを開発。なぜSiC-IGBTではないのか?
 3-4 SiCウェハができるまで
 3-5 太陽光PCSに使われたSiC-MOSFET
 3-6 なぜSiC-MOSFETがEV,PHVに適しているのか?
 3-7 SiCのデバイスプロセス
 3-8 SiCデバイス信頼性のポイント
 3-9 最新SiCトレンチMOSFET

4.高温対応実装技術
 4-1 高温動作ができると何がいいのか
 4-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
 4-3 ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発

5.まとめ


 お1人様      受講申込要領    セミナー 総合日程